護膚品百科 
操作過程：隨著硅、鍺多晶硅的滲透率、阻值率和殘渣氧化還原電位的的聯系，可直觀在線測量、核算出結晶體內的殘渣氧化還原電位。  
實用空間：它非常適合于測試橫剖面積規格尺寸是可測試的，特別棒的尺寸以上橫剖面積線度的有規定的長棒，比如說橫段面為半圓、正方體形、長方型或方形的多晶硅或多晶錠。  
應用：會根據預估沿錠長硫氰酸鹽溶液含量的分布區實力所確定物料的符合標準大部分，可以通過硫氰酸鹽溶液含量的直接的預估，所確定多晶體發芽時中的摻入數目。  
仿品可在超溫度或溫度下衡量。  
呈現途徑方法：實驗室設備相連接PC機，經過試驗游戲測算，用常用對數作標的途徑方法來呈現沉渣酸度（含次方數）沿錠長的分布不均弧線，可對弧線圖確定打印紙和保護。  
檢測的使用范圍： 可測氯化鈉晶體功率電阻率：0.005-3000Ω·cm。  
整流(liu)加數(shu)交流(liu)電(dian)壓表測(ce)量條件：0-199.99mV，流(liu)暢度(du)：10μA。