* QT-2B半導體芯片設備材料管的特點示意儀可不同必須 量測半導體芯片設備材料二**管、三**管的超低頻高壓發生器直流電主要參數,**大集電**交流電可達到50A,主要足夠輸出功率500W一下的半導體芯片設備材料管的檢測。
* 本測量儀器還附有壓力的測式安全裝置,可對5000V之下的半導體技術管進行電壓降擊穿電壓降及正向漏交流電測式,其測式交流電**高靈敏性度到0.5uA/度。
* 本設備所出示的基**梯階性4g信號還包括脈沖造成的梯階性輸入,因為可擴充測定比率及對二級電壓擊穿因素的測定。
* 本醫療儀器帶臺階偏置電壓降(△VB), -6V~+6V接連調節器。特殊適用于大功效VMOS管測試儀。
1. 集電**功率偏轉因子
a) 集電**電流大小比率(Ic): 1μA/度~5A/度。按1、2、5進制分21檔級,各檔出現偏差的原因不太多于3%。
b) 二**管電流值時間范圍(ID) :1μA/度~500μA/度。1、2、5進制分9檔,各檔偏差不太低于3%。
c) 集電**直流電壓及二**管直流電壓系數×0.5,隨機誤差不高于10%。
d) 基**電流值或基**源相電壓0.1V/度,數據誤差很不低于3%。
2. 集電**電阻值偏轉數值
a) 集電**電壓值位置(Uc): 10mV/度~50V/度。按1、2、5進制分21檔級,各檔出現偏差的原因不太多于3%。
b) 二**管工作電壓標準(UD): 100V/度~500V/度。按1、2、5進制分3檔級,各檔誤差率很達到10%。
c) 基**工作電壓超范圍(UBE):10mV/度~1V/度按1、2、5進制分7檔級,各檔差值不是很多于3%。
d) 基**工作電流或基**源交流電壓::0.05V/度,確定誤差不太于3%。
3. 基**階梯式數字信號
a) 階梯式功率範圍(IB): 10uA/度~200mA/度。按1、2、5進制分17檔級,各檔數據誤差較小于5%。
b) 臺階電流電壓時間范圍(UB): 50mV/度~1V/度。按1、2、5進制分5檔級,各檔隨機誤差并大于等于5%。
c) 并聯電阻功率計算電阻功率:0Ω、10KΩ、100KΩ,各檔誤差值很小于10%。
d) 臺階波型:分正常情況(100%)及單脈寬二檔。單脈寬臺階占空比可以調節區間為10~40%。
e) 每簇級數:0~10級,連續不斷調節器。
f) 臺階偏置額定電壓(△VB):-6V~+6V,連繼能自由調節。
g) 階梯性效果:分多個、關、單筆三檔級。
h) 階梯性復制粘貼:分很正常、零電流值、零電阻值三檔級。
i) 臺階**性:分正、負二檔。
4. 集電**掃視電壓電流
a) 所在線電壓與檔級: 0~10V 正或負間斷可控
0~50V 正或負間斷性能自由調節
0~50V 正或負連續性能自由調節
0~100V 正或負陸續調節器
0~500V 正或負陸續能調
b) 所在電流量電容量: 0~10V 50A(脈沖信號階梯式業務心態時)
0~10V 20A(評對數正態分布)
0~50V 10A(均衡值)
0~100V 5A (均衡值)
0~500V 0.5A(大概值)
c) 耗電限定內阻: 0~500KΩ 按1、2、5進制分20檔級,各檔偏差不算太低于10%。
d) 整流方式方法: 全波
e) 工作輸出**性: +,-
f) 集電**容性直流電; 動態平衡后不低于2uA(10V檔)
g) 集電**漏電流; 失衡后不不低于2uA(10V檔)
5. 二**管檢驗器
a) 讀取相電壓: 0~5000V 正面重復可以調整
b) 輸出的直流電壓電容量: **多大5mA
c) 整流方式方法: 半波
6. 同一
a) 兼容性測試器
高壓電自測座、三**管自測座、 熱效率三**管自測座
b) 凈重 約30kg。
c) 性能長寬高
300mm×408mm×520mm(W×H×D)。
d) 功能損耗: 非公測程序時: 約80VA;
**大功效時: 約300VA。
e) 放入工作電壓: 220V±10%;
f) 頻次: 50HZ±5%。
g) 示波管: 15SJ118-DC 行之有效運轉面8×10cm。
h) 磁感應性能
傳遞干預應契合GB/T 6833.9中第四章的需要。
輔射電磁干擾應貼合GB/T 6833.10中第四章的規定要求。
的環境應不符合GB/T 6587.1中Ⅱ級檢測儀器的規定標準,貨運實驗設計按2級

聯系人:王汝玄
電話:
傳真:86-010-68467699
手機:18910534055
郵箱:1350547381@qq.com
網址:600dollarloans.com
地址:北京市通州區興貿三街18號院





















